ATOS電磁閥是什么，你知道嗎??？
    ATOS電磁閥安裝在蒸汽加熱設(shè)備與凝結(jié)水回水集管之間。開啟時，桶在底部，閥門全開。凝結(jié)水進入疏水閥后流到桶底，充滿閥體，全部浸沒桶體，然后，凝結(jié)水通過全開閥門排至回水集管。蒸汽也從桶體底部進入疏水閥，占據(jù)桶體內(nèi)的頂部，產(chǎn)生浮力。桶體慢慢升起，逐漸向閥座方向移動杠桿，直到*關(guān)閉閥門?？諝夂投趸細怏w通過桶體的排氣小孔，聚集在疏水閥的頂部。從排氣孔排出的蒸汽，都會因疏水閥的散熱而凝結(jié)。當進來的凝結(jié)水開始充滿桶體時桶體開始對杠桿產(chǎn)生一個拉力。隨著凝結(jié)水位不斷升高，產(chǎn)生的力不斷增加，直到能夠克服壓差，打開閥門。疏水閥閥門開始打開，作用在閥瓣上的壓差就會減小。桶體將迅速下降，使閥門全開。積聚在疏水閥頂部的不凝性氣體先排出，然后凝結(jié)水排出。水流從桶體流出時帶動污物一起流出ATOS電磁閥。凝結(jié)水排放的同時，蒸汽重新開始進入疏水閥，新的一個周期又開始了。
    一、閥門腐蝕的形態(tài)
    金屬閥門腐蝕有兩種形態(tài)，即均勻腐蝕和局部腐蝕。均勻腐蝕的速度可用年平均腐蝕率來評價。金屬材料，石墨、玻璃、陶瓷和混凝土，按腐蝕率大小分4個等級：腐蝕速度小于0.05mm/a的為優(yōu)良;腐蝕速度在0.05~0.5mm/a的為良;腐蝕速度在0.5~1.5mm/a的尚可使用;腐蝕速度大于1.5mm/a的為不適用，閥門的密封面、閥桿、膜片、小彈簧等閥件一般用一級材料，閥體、閥蓋等適用二級或三級材料，用于高壓、劇毒、易燃、易爆、放射性介質(zhì)的閥門，則選用腐蝕性很小的材料。
    1、均勻腐蝕
    均勻腐蝕是在金屬的全部表面上進行。如不銹鋼、鋁、鈦等在氧化環(huán)境中產(chǎn)生的一層保護膜，膜下金屬狀態(tài)腐蝕均勻。還有一種現(xiàn)象，金屬表面腐蝕剝落，這種腐蝕危險的。
    2、局部腐蝕
    ATOS電磁閥局部腐蝕發(fā)生在金屬的局部位置上，它的形態(tài)有孔蝕、縫隙腐蝕、晶間腐蝕、脫層腐蝕、應(yīng)力腐蝕、疲勞腐蝕、選擇性腐蝕、磨損腐蝕、空泡腐蝕、摩振腐蝕、氫蝕等。
    點蝕通常發(fā)生在鈍化膜或保護膜的金屬上，是由于金屬表面存在缺陷，溶液中能破壞鈍化膜的活性離子，使鈍化膜局部破壞，伸入金屬內(nèi)部，成為蝕孔，它是金屬破壞性和隱患大的腐蝕形態(tài)之一。
    縫隙腐蝕發(fā)生在焊、鉚、墊片或沉淀物下面等環(huán)境，它是孔蝕的一種特殊形態(tài)。防止方法是消除縫隙。
    ATOS電磁閥是從表面沿晶界深入金屬內(nèi)部，使晶界呈網(wǎng)狀腐蝕。產(chǎn)生晶間腐蝕除晶界沉淀積雜質(zhì)外，主要是熱處理和冷加工不當所致。奧氏體不銹鋼的焊接縫兩側(cè)容易產(chǎn)生貧鉻區(qū)而遭到腐蝕。奧氏體不銹鋼晶間腐蝕是常見的和危險的腐蝕形態(tài)。防止奧氏體不銹鋼閥件產(chǎn)生晶間腐蝕方法有：進行“固溶淬火”處理，即加熱至1100℃左右水淬，選用含有鈦和鈮，而含碳量在0.03%以下的奧氏體不銹鋼，減少碳化鉻的產(chǎn)生。
    脫層腐蝕發(fā)生在層狀結(jié)構(gòu)中，腐蝕先垂直向內(nèi)發(fā)展，后腐蝕表面平行的物質(zhì)，在腐蝕物的脹力下，使表面呈層狀剝落。
    應(yīng)力腐蝕發(fā)生在腐蝕和拉應(yīng)力同時作用下產(chǎn)生的破裂。防止應(yīng)力腐蝕的方法;通過熱處理消除或減少焊接，冷加工中產(chǎn)生的應(yīng)力，改進不可理的閥門結(jié)構(gòu)，避免應(yīng)力集中，采用電化學(xué)保護、噴刷防蝕涂料。添加緩蝕劑、施加壓應(yīng)力等措施。
    腐蝕疲勞發(fā)生在交變應(yīng)力腐蝕的共同作用的部位，使金屬破裂。可進行熱處理消除或減少應(yīng)力，表面噴丸處理以及電鍍鋅、鉻、鎳等，但要注意鍍層不可有拉應(yīng)力和氫擴散現(xiàn)象。
    選擇性腐蝕發(fā)生在不同成分和雜質(zhì)的材料中，在一定環(huán)境中，有一部分元素被腐蝕浸出，剩下未腐蝕的元素呈海綿狀。常見有黃銅脫鋅、銅合金脫鋁、鑄鐵石墨化等。
    磨損腐蝕是流體對金屬磨損和腐蝕交替作用所產(chǎn)生的一種腐蝕形態(tài)，是閥門常見的一種腐蝕，這種腐蝕以發(fā)生在密封面為多。防止方法：選用耐腐蝕、耐磨損的材料，改進結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用陰極保護等。
    ATOS電磁閥主要：
    1.控制流體速度30m/S左右，防止空化破壞，流體通道迷宮式，不斷改變流體方向；允許壓差25MPa。
    2.節(jié)流面與密封面分開，根椐疏水流量設(shè)有不同的節(jié)流元件，閥內(nèi)組件表面硬化處理，硬度可達到HRC70，關(guān)閉嚴密，壽命長。
    3.閥體組件采用自內(nèi)壓密封結(jié)構(gòu)，壓差越大，密封性越。
    4.閥體組件與執(zhí)行機構(gòu)采用浮動式連接，可以消除閥芯與推桿不同心造成的卡死現(xiàn)象。
    注意事項：
    1.安裝前清洗管路設(shè)備，除去雜質(zhì)，以免堵塞。
    2.ATOS電磁閥應(yīng)盡量安裝在用汽設(shè)備的下方和易于排水的地方。
    3.ATOS電磁閥應(yīng)安裝在易于檢修的地方，并盡可能集中排列，以利于管理。
    4.各個蒸汽加熱設(shè)備應(yīng)單獨安裝蒸汽疏水閥。
    5.旁路管的安裝不得低于蒸汽疏水閥。
    6.安裝時，注意閥體上箭頭方向與管路介質(zhì)流動方向應(yīng)一致。
    7.ATOS電磁閥管路的介質(zhì)流動方向應(yīng)有4%的向下坡度，而且管路的公稱通徑不小于蒸汽疏水閥的公稱通徑。
    8.一個ATOS電磁閥的排水能力不能滿足要求時，可并聯(lián)安裝幾個蒸汽疏水閥。用在可能發(fā)生凍結(jié)的地方，必須采用防凍措施。